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Der FET (Feld-Effekt-Transistor) hat ähnliche Eigenschaften wie der Transistor. Wie beim normalen bipolaren Transistor gibt es zwei Typen, N-FET und P-FET. Der N-FET entspricht dem NPN-Transistor und der P-FET dem Gegenstück, dem PNP-Transistor. FETs sind im Gegensatz zu Transistoren spannungsgesteuert. Die Anschlüsse heissen Gate, Source und Drain mit äquivalente Funktionen des Transistors (Basis, Kollektor und Emitter). Im Gegensatz zum Transistor haben FETs einen kleineren Innenwiderstand. Dadurch ist der Wirkungsgrad besser als beim Transitor. | Der FET (Feld-Effekt-Transistor) hat ähnliche Eigenschaften wie der Transistor. Wie beim normalen bipolaren Transistor gibt es zwei Typen, N-FET und P-FET. Der N-FET entspricht dem NPN-Transistor und der P-FET dem Gegenstück, dem PNP-Transistor. FETs sind im Gegensatz zu Transistoren spannungsgesteuert. Die Anschlüsse heissen Gate, Source und Drain mit äquivalente Funktionen des Transistors (Basis, Kollektor und Emitter). Im Gegensatz zum Transistor haben FETs einen kleineren Innenwiderstand. Dadurch ist der Wirkungsgrad besser als beim Transitor. | ||
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Aktuelle Version vom 17. Februar 2018, 23:54 Uhr
Inhaltsverzeichnis
FET
Der FET (Feld-Effekt-Transistor) hat ähnliche Eigenschaften wie der Transistor. Wie beim normalen bipolaren Transistor gibt es zwei Typen, N-FET und P-FET. Der N-FET entspricht dem NPN-Transistor und der P-FET dem Gegenstück, dem PNP-Transistor. FETs sind im Gegensatz zu Transistoren spannungsgesteuert. Die Anschlüsse heissen Gate, Source und Drain mit äquivalente Funktionen des Transistors (Basis, Kollektor und Emitter). Im Gegensatz zum Transistor haben FETs einen kleineren Innenwiderstand. Dadurch ist der Wirkungsgrad besser als beim Transitor.
Was macht es:
Kann mit einem kleinen Basisspannung eine grosse Lastspanung und auch Laststrom schalten, bzw. verstärken.
Anzahl Anschlüsse:
3 (Gate, Source und Drain). Pinbelegung kann variieren. Deshalb vor dem Anschliessen unbedingt das Datenblatt lesen.
Identifizierung:
Transistoren gibt es in vielen verschiedenen Gehäuseformen (TO92 und TO220 sind die gängigsten).
Was zu beachten ist:
- Vorsicht, nicht verpolt anschliessen.
- Es wird ein Widerstand zur Strombegrenzung am Gate Anschluss benötigt.
- Empfehlenswert ist auch ein PullDown Widerstand an der Basis. Offene FET Eingänge neigen zum Schwingen und können das Bauteil zerstören.
- Beim Schalten induktiver Lasten wie Motoren und Relais zusätzlich eine Schutzdiode (In Gegenrichtung parpallel zum Motor, Relais geschaltet).